SA2103L双NMOS半桥栅极250V驱动芯片
耐压:250v
供电范围:5-20v
输入逻辑:HIN/LINB
通道:单相
驱动能力:1.0/1.5A
封装:SOP8
供电范围:5-20v
输入逻辑:HIN/LINB
通道:单相
驱动能力:1.0/1.5A
封装:SOP8
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描述
SA2103L是一款针对于双NMOS的半桥栅极驱动芯片,专为高压、高速驱动N型功率MOSFET和IGBT设计,可在高达250V电压下作.SA2103L内置VCC和VBS欠压(UVLO)保护功能,防止功率管在过低的电压下工作,提高效率.SA2103L输入脚兼容3.3-15.0V输入逻辑,集成防穿通死区时间为200ns,驱动能力为+1.0A/-1.5A.SA2103L采用SOP8封装.
特征
悬浮绝对电压250V
电源电压工作范围:5.0-20.0V
兼容3.3/5/15V输入逻辑
驱动电流:+1.0A/-1.5A(typ.)
死区时间:200ns(typ.)
集成VCC和VBS欠压保护
SOP8封装典型应用
马达驱动
半桥电源
全桥电源电路图
